Samsung Electronics Co., Ltd. ผู้นำเทคโนโลยีด้าน Semiconductor ได้พัฒนาแรม (RAM) แบบ DDR4 DRAM ด้วยเทคโนโลยีการผลิตที่ 30 nm เป็นผลสำเร็จ
Dong Soo Jun president ของแผนก memory กล่าวว่า "ซัมซุงได้สนับสนุนอุตสาหกรรมไอทีด้วย "Green Memory" และระบบที่เป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อม (Eco-Friendly) พร้อมด้วยผลิตภัณฑ์ที่มีประสิทธิภาพสูงและใช้พลังงานแบบคุ้มค่ามาทุก ๆ ปี"
DDR4 DRAM รุ่นใหม่นี้มีอัตราการรับ-ส่งข้อมูลที่ 2.1 Gbps (gigabits per second) ที่แรงดันไฟฟ้า 1.2V เปรียบเทียบกับ DDR3 DRAM ที่ใช้แรงดันไฟฟ้าที่ 1.35V และ 1.5V ที่การผลิตที่ 30 nmเท่ากัน เมื่อนำไปใช้กับโน๊ตบุ๊ค มันจะลดการบริโภคพลังงานได้ถึง 40 เปอร์เซ็นต์ (เทียบกับ DDR3 DRAM ที่ใช้แรงดันไฟฟ้า 1.5V)
DDR4 ใช้เทคโนโลยีใหม่ที่เรียกว่า Pseudo Open Drain (POD) ซึ่งช่วยให้ลดการใช้กระแสไฟฟ้า ส่งผลให้ประหยัดพลังงาน โดยแรม DDR4 ของซัมซุงจะมีอัตราการรับ-ส่งข้อมูลสูงคือตั้งแต่ 1.6 Gbps ถึง 3.2 Gbps เมื่อเทียบกับ DDR3 ที่มีความเร็ว 1.6 Gbps และ DDR2 ที่มีความเร็ว 800 Mbps
และนี่ไม่ใช่ครั้งแรกของซัมซุง โดยในปี 2005 ซัมซุงได้ออก DDR3 DRAM ที่ใช้เทคโนโลยี 80 nm ตัวแรกของโลกมาแล้ว ส่วนกำหนดการวางตลาดยังไม่มีการระบุที่แน่ชัด
แหล่งที่มาข้อมูล
ไม่มีความคิดเห็น:
แสดงความคิดเห็น